Eli Harari氏が考案したEEPROM特許(USP4,115,914)の表紙イメージ。ファウラー・ノルドハイム・トンネリング(FNトンネリング)を利用して電気的にデータを書き換え可能にした、世界初のメモリ・セルである

Eli Harari氏が考案したEEPROM特許(USP4,115,914)の表紙イメージ。ファウラー・ノルドハイム・トンネリング(FNトンネリング)を利用して電気的にデータを書き換え可能にした、世界初のメモリ・セルである