【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード(11/21)

NANDフラッシュとNORフラッシュのメモリ・セルにおけるしきい電圧(VT)の違い。いずれもシングルレベルセル(SLC)の場合