【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード
(9/21)
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
メモリ・セル・アレイのストリングに対するイレース動作
前の画像
この写真の記事へ
次の画像
関連記事
早稲田大学、「半導体LSIの高速化限界は流れる電子の数によって決定される」
2012年12月10日