【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード(5/21)

NANDフラッシュメモリのプログラムとイレースの原理。左がプログラム(電子をシリコン基板から浮遊ゲートにトンネリングさせる)、右がイレース(電子を浮遊ゲートからシリコン基板にトンネリングさせる)