【VLSI 2009レポート】SSDの高スループットと低コストを両立させる強誘電体バッファ(5/7)

考案した相変化型メモリ(PCM)セルの構造。TEはトップ電極、BEはボトム電極、PCMはカルコゲナイド化合物層(ゲルマニウム・アンチモン・テルル化合物(GST:GeSbTe))のこと