【VLSI 2009レポート】500Gbit/チップを目指す次世代不揮発性メモリの超高密度化技術(6/6)

考案したメモリセルの断面図と上面図。柱状の電極表面に金属酸化物を形成し、その周囲を対向電極層で囲む。対向電極層を積層することで記憶容量を増やす