柔らかい基板(ポリイミド基板)に印刷技術(インクジェット技術)によってReRAM記憶素子のクロスポイントアレイを形成。左はイメージ図。中央上は記憶素子の構造。中央下の写真は試作したクロスポイントアレイ。右は製造工程と製造パラメータ。シンガポール国立大学とIHPC、ケンブリッジ大学の共同研究グループが2019年のVLSIシンポジウムで発表した論文(論文番号T8-4)から
