【ESSDERC/ESSCIRC 2016レポート】炭化シリコンや窒化ガリウムを超える、ダイヤモンドのパワーデバイス(9/9)

チャンネル幅を0.26μmに微細化したJFETのドレイン電流特性とトランジスタ断面の電子顕微鏡写真(左上)、およびp型領域を露出させた電子顕微鏡写真(右下) ※東工大と産総研、JSTの講演スライドから