【ESSDERC/ESSCIRC 2016レポート】炭化シリコンや窒化ガリウムを超える、ダイヤモンドのパワーデバイス(5/9)

接合型FET(JFET)の作成手順(下の図面)。(001)基板にp型チャンネルを形成してから、[111]方向にn+型ゲートを選択成長させる ※東工大と産総研、JSTの講演スライドから