左図は磁場をTMR素子の面に垂直に印加した際の電気抵抗の変化で、素子上部と素子下部における磁性層の磁化の方向が反平行のときに抵抗が増大している。右図は磁場をTMR素子の面に平行に印加した際の電気抵抗の変化で、マンガンガリウム合金ナノ薄膜の磁化を面に平行にするには、4テスラ以上の巨大な磁場が必要であることが分かる
