不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)のメモリセルの概念図。メモリセルはトランジスタと垂直磁化TMR素子からなる。垂直磁化TMR素子は、垂直磁化した磁性体と絶縁体で構成され、磁化(スピン)が平行か反平行かの場合で素子の電気抵抗が変化するTMR効果を発現するため、電気を切っても情報を喪失しない不揮発性メモリ素子となる
