APDのウェハ

12月7日(現地時間)発表

　米Intelは7日(現地時間)、新開発したシリコン光素子デバイスが、340GHzでの駆動に成功したと発表した。

　今回開発したのは、APD(Avalanche Photodetector)と呼ばれるデバイス。このデバイスは、吸収域と増殖域と呼ばれる2層から成り、吸収域で光子を受け取ると、増殖域で電子を発生させる。この増殖域で発生する電子の数は、従来のPhotodetectorの10～100倍もあり、これにより同じ消費電力で光源からの光子の送出距離を10倍に、あるいは光源の消費電力を1/10にして同じ距離、光子を送出できる。

　今回達成した340GHzという周波数は、従来の非シリコン製光電子素材を使ったデバイスを初めて抜くもの。APDはより安価に製造できることから、実用化に向け、大きく前進することになる。

　Intelは光素子デバイスのシリコン化研究を以前より進めており、将来的にはPC内のチップ間通信に用い、帯域を向上させることを目的としている。

APDをパッケージングしたもの	その拡大写真

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20081207corp_sm.htm?iid=pr1_releasepri_20081207sm_r
□関連記事
【2004年2月13日】Intel、1GHz超の周波数を実現するシリコン光素子
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0213/intel2.htm

(2008年12月8日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]