EDX5116ADSE-5E-E

10月5日　発表

　エルピーダメモリ株式会社は5日、RambusのXDRメモリアーキテクチャを採用した512Mbit 4.8GHz動作のXDR DRAM「EDX5116ADSE-5E-E」を発表した。サンプル出荷は2007年12月より開始し、2008年4月より量産を開始する。

　XDR DRAMは、超低振幅の差動ラムバス信号レベルや、クロック1サイクルで8bitの転送を行なうオクタルデータレート、クロック位相に併せてデータタイミングを調整するFlexPhaseなどの技術を搭載。

　今回発表した製品は、容量512Mbitの8バンク製品(x16/x8/x4/プログラマブル)で、現在量産されている製品と同じ。動作クロックは4.8GHz、1チップあたりの転送速度は9.6GB/sec。これはDDR2-800の約6倍の速度にあたる。製造プロセスは70nm。

　エルピーダメモリ デジタルコンシューマ事業部担当執行役員 木下嘉隆氏は、「デジタルTVのような高解像度のイメージデータが普及するにつれ、次世代のシステムでは高バンド幅メモリの必要性が高まっている。RambusとともにXDR DRAMに取り組みことでコストパフォーマンスに優れたソリューションをコンシューマエレクトロニクスやコンピューティング市場に提供することができる」とコメントしている。

　XDR DRAMは、PS3のCell/B.E.用のメモリなどで利用され、エルピーダのほか、東芝、Samsungらが量産。東芝は2005年3月時点で4.8GHz動作のXDR DRAMをサンプル出荷していた。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2007/10-05.html
□Rambusのホームページ(英文)
http://www.rambus.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.rambus.com/us/news/press_releases/2007/071004.html
□関連記事
【2005年3月30日】東芝、4.8GHz動作のXDR DRAMをサンプル出荷
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0330/toshiba.htm
【2005年3月30日】エルピーダ、3.2GHz動作のXDR DRAMをサンプル出荷
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0330/elpida.htm

(2007年10月5日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]