5月15日(現地時間)発表

　米Spansionと台湾TSMCは15日(米国時間)、40nm世代以降のプロセスでフラッシュメモリ技術の共同開発を行なっていく契約を締結したと発表した。

　両者はフラッシュメモリ多値メモリ技術「MirrorBit」について、すでに0.11μmおよび90nmプロセスでも提携しており、今回の契約はそれを40nm以降の世代にまで拡大したもの。

　この提携により、SpansionではMirrorBitの適用分野を拡大し、TSMCは40nm世代以降のプロセスでの量産実績を作っていく。

□Spansionのホームページ(英文)
http://www.spansion.com/
□ニュースリリース(英文)
http://investor.spansion.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=243191
□TSMCのホームページ(英文)
(5月16日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.tsmc.com/
□関連記事
【2006年6月15日】Spansion、会津若松に300mmウエハのフラッシュメモリ工場を建設
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0615/spansion.htm

(2007年5月16日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]