4月25日(現地時間) 発表

　米Intelと米Micronは25日(現地時間)、NANDフラッシュメモリを製造する両社の合弁会社IM Flash Technologiesが、50nmプロセス製造による容量16GbitのNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。

　MLC(Multi Level Cell)を採用し、容量16Gbitを実現した製品。製造は50nmプロセス/300mmウェハ。IM Flashは現在、50nmプロセスを採用したSLC(Single Level Cell)の4Gbit品を量産している。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20070425corp_a.htm
□Micronのホームページ(英文)
http://www.micron.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.micron.com/about/news/pressrelease?id=7C92FB5EEFA2B68E
□関連記事
【1月24日】東芝、56nmプロセスの16Gbit NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0124/toshiba.htm
【2006年7月26日】IntelとMicron、業界初の50nmプロセスNAND
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0726/intel.htm

(2007年4月26日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]