2月26日(現地時間)　発売

　米Intelは26日(現地時間)、ニューメキシコ州リオ・ランチョにある半導体製造施設Fab 11Xに10～15億ドルを投入し、45nmプロセス技術向けに施設を刷新すると発表した。同施設の製造開始は2008年後半を予定。

　同社は、45nm製品の製造をオレゴン州の開発/量産施設D1Dで開始する予定。次いで現在建造中のアリゾナ州チャンドラーのFab 32を2007後半に、イスラエルのキリヤットガットのFab 28を2008年前半に稼働する予定としている。Fab 11Xはこれらに続く4番目の45nm製品対応生産施設となる。

　45nmプロセスを採用する次期プロセッサ「Penryn」は、現行のCore 2シリーズの後継製品。新たに開発されたハフニウム系High-k(高誘電率)材料をゲート絶縁膜、トランジスタのゲート電極に新開発の複合金属材料を採用することで、リーク電流を抑えると共に性能を向上させた。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20070226corp.htm
□ニュースリリース(和文)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2007/070227.htm
□関連記事
【1月29日】Intel、45nmプロセスの次期CPU「Penryn」の試作に成功
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0129/intel.htm

(2007年2月27日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]