12月12日(現地時間) 発表

　米IBMと米AMDは12日(現地時間)、45nmプロセスで製造された製品を2008年半ばに投入する予定であると発表した。

　International Electron Device Meeting(IEDM)で紹介されたもので、45nmプロセスでは、液浸リソグラフィ、low-k(低誘電率)をさらに向上させたultra-low-k(超低誘電率)のインターコネクト材料を採用する。

　液浸リソグラフィは、基板表面に光を照射してウェハに転写する際に、露光装置とレジストの間に液体を挟むことで、液体をレンズのようにして屈折率を変える技術。既存のリソグラフィ技術では65nmプロセス以降のCPU設計において、かなりの制限がかかるとされ、これを解決する技術となる。

　ultra-low-kのインターコネクトでは、従来のlow-kと比較して、信号遅延が15%低減されたという。

　これに加えて歪み技術も進歩させ、45nm世代のトランジスタで記録密度が高くなったにもかかわらず、歪み技術を採用していないトランジスタと比較して、Pチャネルで80%、Nチャネルで24%の性能向上が見られたという。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/20751.wss
□AMDのホームページ(英文)
http://www.amd.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~114948,00.html
□ニュースリリース(和文)
http://www.amd.com/jp-ja/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~114953,00.html
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(2006年12月13日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]