12月19日　発表

　エルピーダメモリ株式会社は19日、80nmプロセス製造の2Gbit DDR2 SDRAMの製品化に成功し、サンプル出荷を開始したと発表した。

　2006年に量産を予定している80nmプロセスを採用した製品。同チップを採用することで、8GBや4GBなどの大容量モジュールが実現できるとしている。

　構成は64Mワード×4bit×8バンクまたは32Mワード×8bit×8バンクで、それぞれに動作クロックが800MHz/667MHz/533MHzの計6モデルが用意される。パッケージは68ピンFBGAで、駆動電圧は1.8V±0.1V。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2005/12-19.html
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/1202/elpida.htm

(2005年12月20日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]