2月2日発表

　ソニーは2日、65nmプロセスに対応した半導体量産体制の構築に向け、約1,200億円の設備投資を行なうと発表した。2003年の第1期投資約730億円に続くもので、今回が第2期の投資となる。

　2003年4月に、65nmプロセスに対応する設備投資として発表した、3年間で総額約2,000億円の一部として実施するもの。投資対象は長崎県諫早市に同社が保有するSCE Fab2 1階クリーンルーム、IBMが保有する米イースト・フィッシュキル工場、東芝保有の大分工場新棟内の3カ所。

　投資の内訳は、約530億円がSCE Fab2の300mmウェハ/65nmプロセス対応ラインの増強で、SOIを採用した「CELL」などの高速プロセッサ生産に充てられる。

　IBMイースト・フィッシュキル工場へは約360億円を投じ、同じく「CELL」などの65nmプロセス高速プロセッサ群の生産を計画している。

　東芝の大分工場へは約310億円を投じ、DRAM混載CMOSを活用した65nmプロセス世代の半導体生産拠点を立ち上げる。

　それぞれの設備の試験稼動開始目標は2005年前半。3拠点で月産約15,000枚の生産能力を予定し、次世代半導体のスムーズな量産体制立ち上げを目指す。

□ソニーのホームページ
http://www.sony.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200402/04-0202/
□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2004_02/pr_j0201.htm
□関連記事
【2003年4月21日】ソニー、65nm対応の半導体設備を導入。3年間で2,000億円の投資
～90nm DRAM混載プロセスを用い、PS2のEEとGSを1チップ化
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0421/sony1.htm
【2003年12月3日】東芝とソニー、世界初65nm世代のDRAM混載システムLSI技術
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2002/1203/tosony.htm

(2004年2月2日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]