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iPhone 6のNANDフラッシュはMLCかTLCか

iPhone 6とiPhone 6 Plus

 Appleの「iPhone 6」および「iPhone 6 Plus」を購入したユーザーの間で、同機にストレージとして搭載されているNANDフラッシュがMLC(Multi Level Cell)なのか、TLC(Triple Level Cell)なのかが話題となっているようだ。

 香港メディアのHKEPCでオーバークロッカーとして活躍しているChi-Kui Lam氏はこの問題について調査した。任意に選んだ3台のiPhone 6 64GBモデルのサンプルを取ったところ、うち2台はMLCで、1台がTLCであったという。

 MLCのものは東芝製またはHynix製が採用されており、バッファは前者が256MB、後者が512MB。一方TLCのものはSanDisk製で、バッファは存在しなかった。この3台に対し、ファイルサイズを変えながら0Fill書き込みテストとランダムデータ書き込みテストを行なったところ、面白い結果が見えてきたという。

 0Fillコピーテストだが、MLCの2モデルに関しては、データサイズが6MBから3.4GBまでは、75MB/secの速度を維持した。対するTLCのモデルに関しては、メインメモリを動的なキャッシュとして使う傾向が見られ、26MB〜419MBのサイズにおいては、200MB/sec近い速度を叩き出した。

 一方で、ファイルサイズが839MBを超えた時点から速度が50MB/sec以下と大幅に低下した。また、多くのメモリ消費量の大きいプログラムを同時に立ち上げるとキャッシュ容量が減るため、性能が低下する。

 ランダムなデータのコピーに関しては、キャッシュの効果が薄く、TLCモデルは102KBから3.4GBまで全域に渡り3.2MB/sec以下の速度で推移し、MLC採用の2モデル(2.9〜15.7MB/sec)より低速であった。

 記事のまとめとして「高価なハイエンドスマートフォンにおいて、低速で信頼性が低いTLCを採用するのは望ましくない」としているが、Chi-Kui Lam氏は本誌の取材に対し「問題なのはこのTLCのRAMキャッシュがライトバック方式であることだ」と指摘する。「プログラムが明示的に指定しない限り、確実にNANDフラッシュへの書き込みが行なわれないため、不具合が発生する可能性がある」とした。

(劉 尭)