Micron、128GbitのTLC NANDフラッシュを発表

　米Micron Technologyは14日(現地時間)、20nmプロセスで製造されるTLC(Triple Level Cell)のNANDフラッシュを発表した。すでに特定顧客向けにサンプルを出荷中。製品化は2013年第2四半期を予定している。

　容量は128Gbit(16GB)。チップサイズは146平方mmで、同じ128Gbitの20nm MLC(Multi Level Cell)に比べて25%以上の小型化を実現した。

　コストが重視されるフラッシュストレージを本製品のターゲットにしており、USBメモリやmicroSDカードなどの大容量化に繋がるものと見られる。