株式会社東芝は21日、19nmプロセス製造によるNANDフラッシュメモリを開発したと発表した。4月末よりサンプル出荷、2011年第3四半期(7～9月期)より量産を開始する。

　今回開発したのは、世界初となる10nm台のプロセスを採用した容量64Gbit(8GB)のNANDフラッシュメモリ。プロセスルールの微細化で小型化されており、インターフェイスにはToggle DDR2.0仕様を採用してデータ転送速度を高めている。

　今後、3bit/セルの製品もラインナップに加えるという。

　米SanDiskも同様に、19nmプロセス製造の64Gbit製品の発表を行なった。こちらは第2四半期にサンプルを提供、2011年下半期に量産開始を予定している。