新開発の下層フルNCS構造の45nm多層配線

6月18日 発表

　株式会社富士通研究所と富士通株式会社は、漏れ電流を1/5に削減可能な45nm世代ロジックLSI向けプラットフォーム技術を開発したと発表した。

　同技術では、新しい熱処理技術(ミリ秒熱処理)により、従来の熱処理方法と比べ高温のため、抵抗を低減できる。加えて、熱処理の時間が短いため、ソースおよびドレイン部を浅くして漏れ電流を従来の1/5に低減し、携帯電話の待ち受け時間を5倍に延長できるという。

　また、誘電率が最も低い(k=2.25)層間絶縁膜材料である「Nano Clustering Silica (NCS)」を最小の配線間隔が適用される下層配線領域に導入。NCSは膜中に微少な空孔を持ち、低誘電率と高い機械的強度を両立。同社はNCSを65nm世代にも部分的に利用していたが、45nm世代では同一配線層間だけでなく、異種配線層間にも適用し、配線容量を低減した。

ソース/ドレイン部の深さと漏れ電流

□富士通のホームページ
http://jp.fujitsu.com/
□ニュースリリース
http://pr.fujitsu.com/jp/news/2007/06/18.html
□富士通研究所のホームページ
(6月18日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://jp.fujitsu.com/group/labs/
□関連記事
【2006年6月13日】Intel、リーク電流を1/50に削減するトライゲートトランジスタ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0613/intel.htm

(2007年6月18日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]