6月27日(現地時間)発表

　韓Samsung Electronicsは27日(現地時間)、60nmプロセスを採用した2Gbitの高速フラッシュメモリ「OneNAND」を開発したと発表した。

　OneNANDは、NORロジックとNANDセルを組み合わせることで、NORフラッシュの読み込みの速さと、NANDフラッシュの書き込みの速さと大容量の両立を実現した製品。同社の資料によれば、読み込み/書き込み速度は、NORが266/0.5MB/sec、NANDが27/13MB/secのところ、OneNANDは108/9.3MB/secという。

　新製品では、既存の0.12μmプロセス/1Gbitから、60nmプロセス/2Gbitへと微細/大容量化を図るとともに、書き込み速度を17MB/secへ向上させた。読み込み速度は変化していない。

　また、OneNANDはインターリーブアクセスが可能で、8チップ構成での書き込み速度は最大136MB/secに達するとしている。

　OneNANDは、高速性と容量の大きさから、システムキャッシュへの用途が見込まれており、同社でも「Hybrid HDD」のプロトタイプに採用している。

□Samsung Electronicsのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20060627_0000267919
□製品情報(英文)
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/OneNAND/
□関連記事
【5月18日】Samsung、Windows Vista用NANDメモリ搭載Hybrid HDD
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0518/samsung.htm

(2006年6月30日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]