NECと東芝、次世代不揮発メモリ「MRAM」の新セル技術を開発

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6月15日　発表

　株式会社東芝と日本電気株式会社(NEC)は、次世代不揮発磁気メモリ「MRAM(Magnetoresistive RAM)」の共同開発で、大容量化の実用化に向けた技術を開発したと発表した。

　両社は今回、新たに多層構造記録層を有するMTJ素子を開発し、本記録層の層間の磁気結合の強さを調節。低電流で、従来の5倍となる書込みマージンの広いスイッチング特性を実現したという。また、層数を増やすことで、熱安定性と電流増大の抑制を両立させたとしている。

　MRAMは記録層の磁化方向によりデータを蓄積する不揮発性メモリで、高速、低電圧動作、書換え回数無限、CMOSデバイスとの混載の容易さなどの特徴から、次世代不揮発メモリデバイスとして注目されている。

【お詫びと訂正】初出時に、図版が入れ替わっておりました。お詫びして訂正いたします。

□日本電気のホームページ
http://www.nec.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.nec.co.jp/press/ja/0506/1702.html
□東芝のホームページ
(6月17日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.toshiba.co.jp
□関連記事
【2004年12月15日】東芝とNEC、次世代不揮発メモリMRAMの大容量化技術を開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1215/mram.htm

(2005年6月17日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]