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M-Systems、1セルあたり4bitのNANDフラッシュ技術
~従来比2倍の容量を実現

5月11日(イスラエル時間)発表



 M-Systemsは11日(イスラエル時間)、1セルあたり4bitを実現するNANDフラッシュメモリ技術「x4テクノロジ」を発表した。

 現行のNANDフラッシュメモリは、マルチレベルセル(MLC)を利用して1セルあたり2bitの容量だが、x4テクノロジではその2倍の4bitで、シングルレベルセル(SLC)の4倍の容量を実現する。

 x4テクノロジは、1セルあたり4bitのNANDフラッシュメモリと、x4対応のコントローラで構成される。同社は、製造プロセスを変更せずx4テクノロジを採用できるため、製造施設の収益性向上に役立ち、1セルあたり2bitのMLC製品のウェハと比較して、30%以上コストを削減できるとしている。

 同社はx4テクノロジに関して、数社とのパートナーシップを検討しており、同技術を使用した製品は2007年に登場する見込みだという。

□M-Systemsのホームページ(英文)
http://www.m-systems.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.m-systems.com/site/en-US/Corporate/PressRoom/PressReleases/2006/NR060511.htm
□関連記事
【2005年9月20日】【元麻布】小型HDDを脅かすフラッシュメモリの大容量化
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0920/hot385.htm
【2004年11月18日】Spansion CEOのバートランド・カンブー氏記者会見
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1118/spansion.htm
【2004年4月6日】SanDiskと東芝、多値技術を採用した4Gbit NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0406/sandisk.htm

(2006年5月12日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]

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