12月7日(現地時間)発表

　米Intelは7日(現地時間)、新材料を使用した低電圧で動作するトランジスタを開発したと発表した。この技術を用いたCPUやチップセットなどは、今後5年から10年で製造開始される見込み。

　同社は英QinetiQと共同で、新素材アンチモン化インジウム(元素記号：InSb)を採用したトランジスタを研究。この素材を用いて製造された、エンハンスメント・モード(ほとんどのプロセッサ製品で採用されている)のトランジスタが電流を流すことを証明した。

　今回発表されたトランジスタは約0.5Vで動作するため、現行CPUからの大幅な電力削減が期待される。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20051207corp.htm
□ニュースリリース(和文)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2005/051208.htm
□QinetiQのホームページ(英文)
http://www.qinetiq.com/
□関連記事
【3月2日】【IDF】プロセスロードマップとCMOSの先にあるもの
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm

(2005年12月8日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]