12月13日(現地時間)発表

　米AMDと米IBMは13日(現地時間)、プロセッサ性能と電力効率を向上させる半導体製造技術を開発したと発表した。

　「Pチャネル」および「Nチャネル」トランジスタの片方のシリコン原子を伸張させ、もう一方のシリコン原子を圧縮させることで両方のチャネルのトランジスタの性能を向上させる「Dual Stress Liner」と呼ばれる製法で製造。この技術により、消費電力を上げずに、トランジスタ速度を最大24%向上できるという。

　同技術は業界で初めて、SOI(Silicon-on-insulator)技術で歪みシリコンを採用したもの。開発にはソニーおよび東芝も協力した。

　AMDでは2005年上半期中に90nmプロセスのAMD64プロセッサに導入する予定で、将来のマルチコアプロセッサにも搭載する。IBMでも2005年上半期よりPowerアーキテクチャベースのプロセッサに同技術を実装していく。

□AMDのホームページ(英文)
http://www.amd.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~91999,00.html
□IBMのホームページ(英文)
(12月13日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.ibm.com/
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【11月29日】米IBMとソニーら、Cellの概要を発表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1129/cell.htm
【2003年1月9日】AMDとIBM、チップ製造技術開発で提携
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0109/amdibm.htm

(2004年12月13日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]