70Mbit SRAMのダイ写真

8月30日(現地時間)発表

　米Intelは30日(現地時間)、65nmプロセスを採用した70MbitのSRAMの製造に成功したと発表した。

　同社は2003年11月に65nmプロセス製造技術の開発を完了、4MbitのSRAMの製造に成功していた。今回製造した70MbitのSRAMは5億トランジスタを搭載しており、CPUに近いダイサイズとなる。

　同社の65nmプロセス技術は、歪みシリコン技術や低誘電率(Low-k)材料を採用。微細化で問題になる漏れ電流を1/4に抑えたほか、「Sleep Transistor」と呼ばれる非動作時のSRAMブロックへの電流の漏れを抑止する技術を搭載した。

　同社ではこれまで2年おきにプロセス技術を発展させており、65nmについても予定通り2005年に量産開始できる見込み。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20040830net.htm
□ニュースリリース(和文)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2004/040830.htm
□関連記事
【2003年11月25日】Intel、65nmプロセス製造技術の開発を完了
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/1125/intel.htm

(2004年8月30日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]