Rambus、4.3Gbpsの高速モバイルメモリ技術2月2日(現地時間) 発表 米Rambusは2日(現地時間)、データレート4.3Gbpsの携帯機器向けメモリ技術を発表した。次世代のスマートフォンやネットブック、携帯ゲーム機、携帯プレーヤーなどへの利用を見込む。 最上級の電力効率とするデータレート4.3Gbpsを達成し、1つのDRAMチップで17GB/sec以上の帯域幅を実現する新技術。同社は「Mobile Memory Initiative」と称している。 低い電圧で振幅する差動信号を使った回路技術などで消費電力を低減。電力モードの制御技術では、ディープオフ/オフ/アイドル/アクティブの動作を高速に切り替えられ、ディープオフからアクティブまでにかかる時間は50nsとしている。さらに、メモリコントローラ側のPLLでコントローラ/DRAM双方のクロックを制御し、メモリインターフェイスを簡素化しているという。 □Rambusのホームページ(英文) (2009年2月3日) [Reported by yamada-k@impress.co.jp]
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