1月30日(現地時間)発表

　韓国Samsung Electronicsは1月30日(現地時間)、世界初となる4GbitのDDR3チップを量産開始したと発表した。

　1チップあたりの容量が4GbitのDDR3メモリ。このチップを利用することで、8GBのUnbuffered DIMMやSO-DIMM、また16GBのRegistered DIMMを実現できる。さらに、メモリ半導体を2つ積層するデュアルダイパッケージ技術により、32GBモジュールも実現できるという。

　動作電圧は1.35V。メモリチップ数が半分で済むことから、従来の2Gbitチップ採用品と比べ、16GBの容量で消費電力が約4割削減される。転送速度は1.6Gps。

□Samsungのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.samsung.com/us/news/presskitRead.do?news_seq=12269

(2009年2月2日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]