11月23日(現地時間)　発表

　韓国Hynix Semiconductorは23日(現地時間)、転送速度が7GbpsのGDDR5を開発したと発表した。

　従来の5Gbps品と比較して40%高速なGDDR5メモリ。54nmプロセスで製造され、バス幅32bitで、容量は1Gbit、駆動電圧は1.35V。1チップで28GB/secの転送速度を実現する。

　JEDEC規格に準拠しており、量産出荷は2009年上半期を予定している。

□Hynix Semiconductorのホームページ(英文)
http://www.hynix.com/gl/
□ニュースリリース(英文)
http://www.hynix.com/gl/pr_room/news_data_readB.jsp?NEWS_DATE=2008-11-24:08:16:32
□関連記事
【2007年11月15日】Hynix、5Gbps動作の1Gbit GDDR5ビデオメモリ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1115/hynix.htm

(2008年11月25日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]