43nmプロセスによるSLC NAND型フラッシュメモリ

10月28日　発表

　株式会社東芝は28日、43nmで製造したSLCタイプのフラッシュメモリ「TH58NVG6S2EBA20」など16モデルを製品化し、2009年第1四半期より順次量産を開始すると発表した。

　高速かつ信頼性の高いSLCのNAND型フラッシュメモリを43nmで製造する。同プロセスと素子当たりのデータ保存量を高める技術を採用したことで、1チップあたりの容量を56nmのSLC製品の2倍に向上させた。43nmプロセスによる16GbitのSLC製品とMLC製品を比較した場合、SLC製品は書き込み速度が約2.5倍になる。

　容量は512Mbit～64Gbitの16製品をラインナップし、16Gbit/32Gbit/64Gbitの3製品にはSLCで業界最大となる16Gbitのチップを搭載する。

　一例として16Gbitモデル「TC58NVG4S2EBA00」の主な仕様は、電源電圧が3.3V、プログラム時間が400μs/page、消去時間が4ms/block、アクセス時間が40μs(1st)あるいは25ns(Serial)。本体サイズは14×18mm(幅×奥行き)。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2008_10/pr_j2801.htm

(2008年10月28日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]