4月17日 発表

　株式会社東芝は、容量16GBの携帯機器向けNAND型フラッシュメモリを6月よりサンプル出荷し、12月より量産を開始する。

　新たに製品化された本製品は、56nmプロセスで製造される16Gbit NANDフラッシュを8枚積層し、MMCアソシエーションが策定したMMCA ver.4.2規格に準拠するMMCコントローラを内蔵したもの。このMMCコントローラにより、フラッシュメモリの書き込みブロック管理や、エラー訂正、ドライバソフトなどの制御機能を実装しているため、開発負荷の軽減、開発期間の短縮、コスト削減が可能になる。

　各メーカーは、本製品を携帯電話やデジタルカメラなどの携帯機器の組み込み型MMCメモリ(eMMC:embedded MultiMediaCard)として導入可能としている。

　このほか、低容量のラインナップとして、容量8GBのeMMC型フラッシュメモリを4月にサンプル出荷、7月より量産開始する。また、4GB、2GB、1GBの製品も同様に量産を予定している。

　容量16GBモデルのパッケージは169Ball FBGAで、サイズは14×18×1.5mm(幅×奥行き×高さ)。シーケンシャルの読み込み速度は15MB/sec、書き込み速度は6MB/sec(いずれも最小値)。電源電圧はフラッシュメモリ部が2.7～3.6V、インターフェイス部が1.7～1.95V。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_04/pr_j1702.htm
□関連記事
【1月24日】東芝、56nmプロセスの16Gbit NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0124/toshiba.htm

(2007年4月17日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]