6月15日　発表

　セイコーエプソン株式会社と富士通株式会社は15日、FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)の技術を共同開発すると発表した。

　FRAMは、強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用した不発揮性メモリで、EEPROMと比べ書き込み/読み込み動作の高速化、低電力化が可能。また、10億回以上の書き換え可能回数を実現しているという。

　今回の共同開発で、両社が保有するFRAM技術を融合させ、開発期間の短縮を図る。2006年上半期完了をめどに、従来のセル面積の6分の1となる次世代高集積化FRAM、および書き換え回数を向上させたメモリコア技術の開発をする。

□セイコーエプソンのホームページ
http://www.epson.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.epson.co.jp/osirase/2005/050615.htm
□富士通のホームページ
http://jp.fujitsu.com/
□ニュースリリース
http://pr.fujitsu.com/jp/news/2005/06/15.html

(2005年6月16日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]