6月2日(現地時間)　発表

　独Infineon Technologiesと台湾Nanya Technologyは6月2日(現地時間)、両社が共同開発した300mmウェハベースの90nm DRAMを、ドレスデンにあるInfineonの300mm製造ラインで量産開始したと発表した。

　90nmプロセスで製造されるDRAMは従来の110nmプロセス品と比べ、ダイサイズを小型化できる。ウェハ1枚あたりから生産できるチップ個数は30%以上増加され、チップ製造単価を低減できるとしている。

　2005年の下半期に512MbitのDDR2 SDRAMを市場に投入し、256Mbitおよび1GbitのDDR 2 SDRAMなどを含むほかの製品も順次投入する予定。

□Infineon Technologiesのホームページ(英文)
http://www.infineon.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/jsp/showfrontend.do?
lang=EN&news_nav_oid=-9979&content_type=NEWS&content_oid=127642
□Nanya Technologyのホームページ(英文)
http://www.nanya.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.nanya.com/e-htm/D-E-HTM/e/E-07-1-1.asp?News_ID=103
□関連記事
【1月26日】Rambus、DDR2などに関する特許侵害でHynix/Infineonらを提訴
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0126/rambus.htm
【2004年7月1日】InfenionとNanyaの大規模DRAM工場が完成
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0701/inotera.htm

(2005年6月3日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]