12月17日 発表

　エルピーダメモリ株式会社とNECは17日、DRAMのデータ保持特性を向上させ、高歩留まりを実現する歪み制御技術を共同開発したと発表した。

　DRAMのデータ保持特性は、それぞれのメモリセルトランジスタに接続されているキャパシタが蓄える電荷によって決定され、電荷が漏れてしまうとデータ保持不良となる。プロセスルールが微細化されると、メモリセルの面積が縮小して電荷の保持が難しくなるため、急速にリーク電流が増加する。

　今回両社は、データ保持特性を低下させる原因を世界で初めて解明。キャパシタに存在する10nm程度の結晶欠陥が原因であることを突き止めた。さらに、この結晶欠陥を発生させる製造工程と材料を特定した。

　その材料の内部応力を制御するため、製造工程に熱処理を新たに追加。セルトランジスタ内の歪み分布に最適化を施し、結晶欠陥が引き起こすリーク電流を低減させ、従来の約2倍のデータ保持特性を実現したという。

　エルピーダメモリは、今度製造されるDRAM製品すべてにこの技術を導入する。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2004/12-17.html
□NECのホームページ
http://www.nec.co.jp/

(2004年12月17日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]