メモリセルの断面写真

12月1日 発表

　エルピーダメモリ株式会社は1日、90nmプロセスの512Mbit DDR2 SDRAMの開発を完了したと発表した。

　同社はすでに0.1μmプロセスの製品を量産開始しており、今回の90nm品はメモリセル、周辺の線幅、線間スペースなどがその9割に微細化されるが、OPC(Optical Proximity Correction)と呼ばれる補正技術を用い、歩留まりを改善。すでに0.1μmプロセスと同等レベルを達成したという。

　微細化により、0.1μm品に比べ、生産性は20%向上する。開発には現時点で量産可能な設備を用いており、早期の量産立ち上げを目指す。

　当初は512Mbit/667Mbps以上の製品を生産予定で、順次1Gbitへ展開する。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2004/12-01.html
□関連記事
【7月27日】エルピーダ、100nmプロセスのDDR2を8月から量産
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0727/elpida.htm

(2004年12月1日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]