EUV露光装置

8月2日(現地時間)発表

　米Intelは2日(現地時間)、EUV(極紫外線)を用いた露光装置を導入し、EUVマスクの試作ラインを設置したと発表した。

試作されたEUVマスク

　今回発表されたのは同社がCymer、Media Lario、NaWoTecらと共同で開発したEUV露光装置。商用のものとしては世界初。

　現在、プロセッサの製造に使用されている光学式露光装置の光源の波長は193nmで、数年内に集積度の限界に達すると見込まれている。EUVの波長は13.5nmで、さらなる微細化が可能となる。

　今回同社は、同装置の試作ラインでゲート長30nmの回路転写に成功。量産化には依然、フォトレジストの開発や、マスク欠陥に関する課題が残されているが、解像度を15nmまで引き上げ、2009年に予定している32nmプロセスのプロセッサ量産開始を目指す。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(和文)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2004/040802b.htm

(2004年8月2日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]