次世代のグラフィックスやモバイルなどを支える超高速DRAM(6/12)

Samsungが試作したHBM2の実測性能。入出力ピン当たりで2,400Mbit/secの速度(電源電圧1V)を得ている。ISSCC 2016の講演スライド(Samsung)から