HfO2薄膜の分極特性(分極量)とピエゾ効果特性(変位量)。左は適切な分量のシリコンを混ぜた場合。強誘電性を示している。右はさらに多くのシリコンを混ぜた場合。反強誘電性を示すようになる。IEDM 2011の論文(論文番号24.5)から

HfO2薄膜の分極特性(分極量)とピエゾ効果特性(変位量)。左は適切な分量のシリコンを混ぜた場合。強誘電性を示している。右はさらに多くのシリコンを混ぜた場合。反強誘電性を示すようになる。IEDM 2011の論文(論文番号24.5)から