Krysalis MicroelectronicsとSigneticsが1989年のISSCCで共同発表した16Kbit強誘電体不揮発性メモリの仕様(製品仕様ではない)。この時点ですでに、10年のデータ保持期間と、10の9乗回の読み書きサイクル寿命を仕様に挙げていることに注意。「ISSCC1989」の発表論文(論文番号FAM16..3)から引用した

Krysalis MicroelectronicsとSigneticsが1989年のISSCCで共同発表した16Kbit強誘電体不揮発性メモリの仕様(製品仕様ではない)。この時点ですでに、10年のデータ保持期間と、10の9乗回の読み書きサイクル寿命を仕様に挙げていることに注意。「ISSCC1989」の発表論文(論文番号FAM16..3)から引用した