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セル選択トランジスタのゲート幅(Wn)とメモリセル面積の関係。IEDM 2014の論文から
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日
連載福田昭のセミコン業界最前線
エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ
2012年1月26日
【ISSCC 2011レポート】低コスト64Gbit大容量NANDフラッシュの実現技術
2011年2月24日
次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
2007年12月14日
東芝、キャッシュメモリ向け不揮発メモリ回路を開発
2015年3月3日
Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身
2015年7月30日
筑波大と産総研、相変化記録を1,000倍以上高速化する仕組を解明
2015年9月28日
東芝、2次以降のキャッシュを全てMRAMにする低電力・低コスト技術
2015年12月10日
