30nm技術でDDR4タイプの4Gbit DRAMシリコンダイを作りこんだ300mmウェハ。2012年9月に開催されたIDF 2012のSamsung Electronicsブースで撮影

30nm技術でDDR4タイプの4Gbit DRAMシリコンダイを作りこんだ300mmウェハ。2012年9月に開催されたIDF 2012のSamsung Electronicsブースで撮影