【IDF 2012レポート製造技術編】 22nm世代から14nm世代へと移行するIntelのシリコン製造技術(5/20)

トランジスタの速度(遅延時間)と消費電力(スイッチングエネルギー)の推移。急増するリーク電流(赤い折れ線)を抑えつけることで、高速化と低消費電力化を進めてきた