【FMS 2011レポート】 【次世代磁気メモリ編】ベンチャー企業が独自技術をアピール(6/32)

メモリセルの断面構造と製造工程。標準的なCMOSプロセスでトランジスタを形成した後に、記憶素子(MTJ：磁気トンネル接合)を形成する