左はメモリセルの回路。回路図中のOSは酸化物トランジスタ、FNは浮遊ノード、Siはシリコン・トランジスタである。右はプログラム後のシリコン・トランジスタにおける電流電圧特性

左はメモリセルの回路。回路図中のOSは酸化物トランジスタ、FNは浮遊ノード、Siはシリコン・トランジスタである。右はプログラム後のシリコン・トランジスタにおける電流電圧特性