DRAMの技術トレンド。製造技術は来年には1Xnm世代に移行する(左上)。電源電圧はDDR4世代の1.2Vから、DDR5世代では1.1Vに下がる(左下)。IntelのJohn Halbert氏が2017年6月にJEDECのイベント「Server Forum」で講演したときのスライドから

DRAMの技術トレンド。製造技術は来年には1Xnm世代に移行する(左上)。電源電圧はDDR4世代の1.2Vから、DDR5世代では1.1Vに下がる(左下)。IntelのJohn Halbert氏が2017年6月にJEDECのイベント「Server Forum」で講演したときのスライドから