シリコンダイのレイアウト。左はメモリセルアレイ付近のレイヤーにおけるレイアウト。ダミーセル(Dummy)が確認できる。右はCMOS周辺回路付近のレイヤーにおけるレイアウト。中央がメモリセルアレイとボトム電極(ワード線)、周辺回路の領域、左端がトップ電極(ワード線)の引き出し領域、下端が中間電極(ビット線)の引き出し領域となっていることが分かる。Flash Memory SummitでTechInsightsが発表した講演スライドから

シリコンダイのレイアウト。左はメモリセルアレイ付近のレイヤーにおけるレイアウト。ダミーセル(Dummy)が確認できる。右はCMOS周辺回路付近のレイヤーにおけるレイアウト。中央がメモリセルアレイとボトム電極(ワード線)、周辺回路の領域、左端がトップ電極(ワード線)の引き出し領域、下端が中間電極(ビット線)の引き出し領域となっていることが分かる。Flash Memory SummitでTechInsightsが発表した講演スライドから