EUVリソグラフィの導入による利点(ArF液浸マルチパターニングリソグラフィとの比較)。焦点深度の向上(左上)、パターン均一性の向上(左下)、パターン形成マージン(プロセスウインドウ)の拡大(右上)、配線自由度の向上によるシリコン面積の縮小(右下)、などが見込める。ISSCCの講演スライドから引用した

EUVリソグラフィの導入による利点(ArF液浸マルチパターニングリソグラフィとの比較)。焦点深度の向上(左上)、パターン均一性の向上(左下)、パターン形成マージン(プロセスウインドウ)の拡大(右上)、配線自由度の向上によるシリコン面積の縮小(右下)、などが見込める。ISSCCの講演スライドから引用した